杭州松下家用电器电子类笔试
发布时间:2011/5/13
试题及答案:
1、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。
答:FPGA是可编程ASIC。ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。
2、建立时间(setup time)与保持时间(hold time)意思?
答:建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿(如上升沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器,只有在下一个时钟上升沿,数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间。如果hold time不够,[全文……]
答:FPGA是可编程ASIC。ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。
2、建立时间(setup time)与保持时间(hold time)意思?
答:建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿(如上升沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器,只有在下一个时钟上升沿,数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间。如果hold time不够,[全文……]
杭州松下家用电器模拟电路笔试
发布时间:2011/5/13
试题及答案:
模拟电路
1、 基尔霍夫定理的内容是什么?
基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个
节点的电荷相等.
基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零.
2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
3、最基本的如三极管曲线特性。
4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子)
5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反
馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非
线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)
6、放大电路的频率补[全文……]
1、 基尔霍夫定理的内容是什么?
基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个
节点的电荷相等.
基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零.
2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
3、最基本的如三极管曲线特性。
4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子)
5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反
馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非
线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)
6、放大电路的频率补[全文……]
杭州松下家用电器电子类笔试
发布时间:2011/5/13
试题及答案:
1、同步电路和异步电路的区别是什么?
2、什么是同步逻辑和异步逻辑?
同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。
3、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?
线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上,要用oc门来实现,由于不用oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门。 同时在输出端口应加一个上拉电阻。
4、什么是Setup 和Holdup时间?
5、setup和holdup时间,区别.
6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。
7、解释setup和hold time vio[全文……]
2、什么是同步逻辑和异步逻辑?
同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。
3、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?
线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上,要用oc门来实现,由于不用oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门。 同时在输出端口应加一个上拉电阻。
4、什么是Setup 和Holdup时间?
5、setup和holdup时间,区别.
6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。
7、解释setup和hold time vio[全文……]
杭州松下家用电器微电子笔试
发布时间:2011/5/13
试题及答案:
1.名词解释:vlsi,cmos,eda,vhdl,verilog,hdl,rom,ram,drc,lvs。
2.简述cmos工艺流程。
3.画出cmos与非门的电路,并画出波形图简述其功能。
4.画出n沟道增强型mosfet的剖面图。
5.简述esd和latch-up的含义。
6.简述三极管与mos管的区别。
7.简述moore模型和mealy模型。
8.简述堆栈与队列的区别。
9.画出nmos的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和c-v曲线)
10.2.2um工艺下,kn=3kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
11.说出制作n-[全文……]
2.简述cmos工艺流程。
3.画出cmos与非门的电路,并画出波形图简述其功能。
4.画出n沟道增强型mosfet的剖面图。
5.简述esd和latch-up的含义。
6.简述三极管与mos管的区别。
7.简述moore模型和mealy模型。
8.简述堆栈与队列的区别。
9.画出nmos的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和c-v曲线)
10.2.2um工艺下,kn=3kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
11.说出制作n-[全文……]
杭州松下家用电器硬件工程师笔试
发布时间:2011/5/13
试题及答案:
模拟电路试题
一.二极管
1.如图所示电路中,已知电源电压 E=4V 时,I=1mA。那么当电源电压 E=8V 时 , 电流I的大小将是______
2.稳压管通常工作于______,来稳定直流输出电压
截止区 正向导通区 反向击穿区
3. 由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 ______
大 小 不变
4. 对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 ______
升高 降低 不变
二.三极管
1. 1.晶体管能够放大的外部条件是_________
发射结正偏,集电结正偏
发射结反偏,集电结反偏
发射结正偏,集电结反偏
2. 在共射、共集[全文……]
一.二极管
1.如图所示电路中,已知电源电压 E=4V 时,I=1mA。那么当电源电压 E=8V 时 , 电流I的大小将是______
2.稳压管通常工作于______,来稳定直流输出电压
截止区 正向导通区 反向击穿区
3. 由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 ______
大 小 不变
4. 对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 ______
升高 降低 不变
二.三极管
1. 1.晶体管能够放大的外部条件是_________
发射结正偏,集电结正偏
发射结反偏,集电结反偏
发射结正偏,集电结反偏
2. 在共射、共集[全文……]
最新更新的笔试更多..
湖北成教网 武汉纺织大学成教
武汉轻工大学成教
湖北师范大学成教
武汉工程大学成教
长江大学成教
湖北科技学院成教
荆州教育学院成教
荆楚理工学院成教
湖北开放职业学院成教
湖北中医药高等专科学校成教
湖北理工学院成教
荆州理工职业学院成教
湖北国土资源职业学院成教
中南财经政法大学成教
武汉大学成教
武汉理工大学成教
武汉科技大学成教
华中农业大学成教
湖北工业大学成教
湖北中医药大学成教
武汉成人高考网
孝感成人高考网
荆州成人高考网
咸宁成人高考网
宜昌成人高考网
襄阳成人高考网
十堰成人高考网
武汉自考网
黄冈自考网
宜昌自考网
襄阳自考网
十堰自考网
湖北成人高考报名网
湖北自考报名网
湖北大学成教
湖北工业大学成教
湖北中医药大学成教
华中农业大学成教
武汉大学成教网
武汉科技大学成教
武汉理工大学成教
中南财经政法大学成教
上海成考网
上海自考网
中南财经政法大学自考
中南财经政法大学自考
华中师范大学自考招生网
武汉理工大学自考
湖北大学自考
华中农业大学自考
湖北中医药大学自考
湖北工业大学自考
华中师范大学自考招生网
湖北中医药大学成教
湖北中医药大学成教
武汉理工大学成教
武汉科技大学成教
武汉大学成教
湖北工业大学成教
湖北大学成教
华中农业大学成教
中南财经政法大学成教
华中师范大学成教
湖北中医药大学自考
武汉理工大学自考
武汉大学自考
湖北工业大学自考
湖北大学自考
华中农业大学自考
中南财经政法大学自考
华中师范大学自考