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瑞星微电子笔试

发布时间：2011/5/13

试题及答案:

1:ORG 200H
BUF DB 12H，34H

MOV AX， WORD PTR BUF
上述指令语句执行后AX中的内容是
A.3412H
B.1234H
C.0200H
D.0012H

2:设AX=0CCBBH, CF=1
AND AX， 7FFEH
RCR AX， 1
上述两条指令执行后，AX和CF中的内容分别是
A.AX=265DH,CF=0
B.AX=265DH,CF=1
C.AX=A65DH, CF=0
D.AX=A65DH, CF=1

3:设物理地址21000H=20H,21001H=30H，21002H=40H。如从地址21001H中取出一个字的[全文……]

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杭州松下家用电器微电子笔试

发布时间：2011/5/13

试题及答案:

FPGA和ASIC的概念，他们的区别。
　　答案：FPGA是可编程ASIC。
　　 ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC

(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点.

2. 建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应

提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Se[全文……]

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杭州松下家用电器微电子笔试

发布时间：2011/5/13

试题及答案:

1．名词解释：vlsi，cmos，eda，vhdl，verilog，hdl，rom，ram，drc，lvs。

2．简述cmos工艺流程。

3．画出cmos与非门的电路，并画出波形图简述其功能。

4．画出n沟道增强型mosfet的剖面图。

5．简述esd和latch-up的含义。

6．简述三极管与mos管的区别。

7．简述moore模型和mealy模型。

8．简述堆栈与队列的区别。

9．画出nmos的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和c-v曲线）

10．2.2um工艺下，kn＝3kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。

11．说出制作n-[全文……]

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